دانلود رايگان

نقش پوشش با لايه هاي نازك در صنايع نيم رسانا ها و تجهيزات ميكروالكترومكانيك و نانوالكترومكانيك بسيار با اهميت مي باشد. اطلاع از خواص تشعشعي ساختار هاي چند لايه اي شامل سيليكون و مواد غير فلزي مانند دي اكسيد سيليكون و نيتريد سيليكون، با پارامترهاي متفاوت، جهت كاربردهاي سيستمهاي كوچك ضروري است. لذا در اين مقاله خواص تشعشعي طيفي، جهتي و وابسته به دما از ساختارهاي چند لايه اي بسيار نازك شامل ضريب بازتاب، ضريب عبور، ضريب گسيل مورد بررسي قرار گرفته است. از بيان هاي تجربي براي ثابت هاي نوري سيليكون آلاييده كم استفاده قرار شده است. لايه هاي پوشش در دماي 25 درجه سانتيگراد بررسي شده است و زاويه برخورد موج الكترومغناطيس به ساختار چند لايه اي در نظر گرفته شده است. با بكارگيري الگوريتم ممتيك متاهيوريستيك جهش تركيبي قورباغه مناسب ترين پوشش، از نطر ضخامت و ضرايب بهينه بهبود داده شده است. نتايج نشان دهنده اين است كه پوشش دي اكسيد سيليكون و نيتريد سيليكون ، مانند ضد بازتاب عمل مي كند و اين پوشش ها منجر به كاهش ضريب بازتاب نسبت به زير لايه سيليكون مي-گردند

نقش پوشش با لايه هاي نازك در صنايع نيم رسانا ها و تجهيزات ميكروالكترومكانيك و نانوالكترومكانيك بسيار با اهميت مي باشد. اطلاع از خواص تشعشعي ساختار هاي چند لايه اي شامل سيليكون و مواد غير فلزي مانند دي اكسيد سيليكون و نيتريد سيليكون، با پارامترهاي متفاوت، جهت كاربردهاي سيستمهاي كوچك ضروري است. لذا در اين مقاله خواص تشعشعي طيفي، جهتي و وابسته به دما از ساختارهاي چند لايه اي بسيار نازك شامل ضريب بازتاب، ضريب عبور، ضريب گسيل مورد بررسي قرار گرفته است. از بيان هاي تجربي براي ثابت هاي نوري سيليكون آلاييده كم استفاده قرار شده است. لايه هاي پوشش در دماي 25 درجه سانتيگراد بررسي شده است و زاويه برخورد موج الكترومغناطيس به ساختار چند لايه اي در نظر گرفته شده است. با بكارگيري الگوريتم ممتيك متاهيوريستيك جهش تركيبي قورباغه مناسب ترين پوشش، از نطر ضخامت و ضرايب بهينه بهبود داده شده است. نتايج نشان دهنده اين است كه پوشش دي اكسيد سيليكون و نيتريد سيليكون ، مانند ضد بازتاب عمل مي كند و اين پوشش ها منجر به كاهش ضريب بازتاب نسبت به زير لايه سيليكون مي-گردند